Ученые приблизились к созданию идеальных искусственных синапсов
Фото: hightech.plus
0 89

Ученые приблизились к созданию идеальных искусственных синапсов

Искусственные синапсы сделают нейросети более быстрыми и энергоэффективными. Единого подхода пока нет, но на Международной конференции по электронным устройствам, проходящей в Сан-Франциско, представлен ряд перспективных технологий.

Инженеры из компании IBM разработали систему под названием ECRAM. Это электрохимическое запоминающее устройство хранит информацию в виде изменения проводимости. В отличие от аналогов, ECRAM способна кодировать несколько десятков или даже сотен состояний, сообщает IEEE Spectrum. Каждое значение сопротивления означает определенный «вес» синапса в нейронной сети.

В качестве диэлектрика в устройстве используется твердотельный электролит, известный как фосфор-оксинитрид лития, а вместо стандартного кремния применяется триоксид вольфрама. Движение ионов лития между этими элементами позволяет менять проводимость синапса. Первые эксперименты с нейросетью на основе ECRAM подтвердили, что она успешно справляется с распознаванием рукописных цифр. Точность системы составила 96%.

Точность искусственных синапсов можно повысить, ликвидировав ассиметрию в динамике проводимости. Дело в том, что рост и снижение этого показателя идут с разными скоростями, что ограничивает возможности системы. Ученые уверены, что дальнейшие исследования позволят им скорректировать эту особенность. Кроме того, они планируют уменьшить размеры устройства до 100 нм.

Альтернативный вариант представили исследователи из Университета Пердью. Их устройство изготовлено из германиевых нанопроводов и сегнетоэлектрических материалов, которые меняют поляризацию в ответ на небольшое электрическое напряжение.

Читать далее

Последние новости
Ученые Института нефтегазовой геологии и геофизики им. А.А. Трофимука СО РАН моделируют процессы…
Глава SpaceX Илон Маск заявил, что ракетный двигатель Raptor достиг показателя 268,9 бар…
21-22 Февраль 2019 в Москве в Президент-отеле пройдёт IV Международная Конференция Арктика: шельфовые…